precision analyzer.
CP-8000+ 氩离子抛光
COXEM CP-8000+ 氩离子抛光是一种先进的样品制备工具，可使用氩离子束蚀刻样品的横截面。该过程避免了物理变形和结构损坏，不需要复杂的化学过程。此外，该系统通过处理从几十微米到几毫米的大面积，简化了样品的横截面分析。
特 点
● 每小时 700 μm 的高蚀刻速率（基于 Si，8 kV）
● 能够保存/加载常用的配方
● 具有自动执行功能的逐步操作配方
● 使用智能样品架轻松装载样品
● 通过腔室摄像头实时观察离子束状态和蚀刻状态
● 便捷的操作——直观的GUI和简单的触摸屏
● 通过离子束自动开/关功能减少热损伤
● 使用内置数字显微镜通过离子束快速方便地对准样品
● 配备低噪、隔振、无油隔膜泵
● 具备平面铣削功能，可进行大面积平面蚀刻
CP抛光基本原理
机械抛光 VS CP抛光
如果使用机械抛光装置进行抛光，由于物理损伤和污染，很难检查横截面的确切状态，但当使用离子束通过 CP 进行横截面加工时，可以观察微表面结构，样品无结构损坏和污染。
FIB 抛光 VS CP抛光
与聚焦离子束 (FIB) 相比，使用 CP-8000+ 蚀刻同一样品的截面时，您可以在更短的时间内蚀刻更宽的横截面，从而极大地节省时间和成本。
以下图像是同一样本在同一时间段内以两种不同方式（FIB 和 CP）铣削的结果。
数码显微镜
使用数字显微镜，可以通过屏幕轻松对准离子束的位置和样品的位置。
仓室内摄像头
您可以通过腔室内的摄像头检查离子束的状态，并实时检查截 面蚀刻的程度。
自动离子束开/关模式
该功能旨在通过根据设置的离子束开/关计时器打开和关闭离子束，减少离子束造成的热损伤。在蚀刻聚合物和纸张等热敏样品时，它对于获得准确的横截面条件非常有用。
配方模式
常用的蚀刻条件可以存储在配方列表中，以便在需要时轻松应用设置值。此外，还可以使用分步模式来存储多个配方并自动执行它们来蚀刻样品。
平面抛光模式
CP-8000+ 可以使用专用支架在平面上处理样品。 当样品安装在专用支架上并使用平面铣削功能时， 离子束会基于旋转中心轴蚀刻几个平方毫米的区域。 在此刻，由于抛光速度、面积和深度根据离子束 撞击样品表面的入射角而变化，因此应通过旋转和调整样品的角度来实现均匀的表面抛光。 由于离子束照射的面积较大，可以蚀刻氧化层或异物，因此可用于大面积样品的预处理。
产品参数
加速电压 | 2 to 8kV |
抛光速率 | 700㎛/h (at 8kV on Si wafer) |
样品台摆动角度 | ±35° |
尺寸 | 20(W) × 10(L) × 5.5(T)mm 16(W) × 10(D) × 9.5(H)mm |
样品移动范围 | X axis movement : ±1.5mm / Y axis movement : ±2mm |
平面样品台倾斜角度范围 | 40° to 80° |
平面台样品尺寸 | Ø30 × 11.4(H)mm |
操作方式 | 7 inch 触控屏 |
用于样品定位的数码显微镜 | Mag. x5, x10, x20, x40 |
用于监控的室摄像机 | Mag. x5, x10, x20, x40 4档亮度调节 离子束观察模式(LED Off |
离子枪气体 | Argon gas (99.999%) |
气压 | 0.1 Mpa (14.5psi) |
气压控制 | Mass Flow Control |
真空系统 | 分子泵, 隔膜泵 |
外形尺寸 | 607(W) × 472(D) × 277.5(430.5)(H) mm |
重量 | 主机 36kg / 隔膜泵 6.5kg |
特点 | Auto Beam On/Off mode Step by step mode |
Optional Products
